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IBM und Infineon zeigen Fortschritte bei magnetischem RAM

10.06.2003

MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - IBM und Infineon präsentieren Fortschritte bei der Entwicklung von MRAM (Magnetic Random Access Memory) auf dem diese Woche stattfindenden VLSI-Symposium (Very Large Scale Integration) im japanischen Kyoto. Die Hersteller haben einen MRAM-Chip mit 128 Kilobit Speicherkapazität im Gepäck. Er wurde in einem 0,18-Mikron Fertigungsprozess hergestellt und ist 1,4 Quadratmikrometer groß.

MRAM soll künftig herkömmliches DRAM (Dynamic Random Access Memory) als Hauptspeicher ersetzen. Die im magnetischen Speicher abgelegten Daten sind nicht flüchtig, bleiben also auch ohne Stromzufuhr erhalten. Neben dem Aspekt der Datensicherheit bietet das zum Beispiel beim Starten eines Rechners Vorteile. Betriebssysteme und Arbeitsumgebungen könnten im RAM abgelegt werden und wären nach dem Einschalten des Geräts ohne Wartezeiten verfügbar. Da der Speicher nicht permanent mit Strom versorgt werden muss, eignet er sich besonders für den Einsatz in mobilen Geräten. Die Akkulaufzeit von PDAs (Personal Digital Assistants), Handys oder Notebooks würde sich nach Einschätzung von Experten erheblich verlängern.

Erste Prototypen kompletter Speichermodule wollen IBM und Infineon 2004 produzieren, 2005 soll die Technologie marktreif sein. Lediglich in militärischen Bereichen und in der Raumfahrt seien magnetische Hauptspeicher bereits im Einsatz, sagte Bill Gallagher, Manager für Elektromagnettechnik bei IBM.

NEC und Toshiba haben ebenfalls ein Joint Venture gegründet, um magnetische Speicherbausteine zu entwickeln (Computerwoche online berichtete). (lex)