TOKIO (vwd) - Die Toshiba Corp. bereitet sich für die Produktion von integrierten Halbleitern in den USA vor, schreibt die Zeitung "Nikkan Kogyo". Mit dem Bau eines Werkes für anwendungsspezifische Schaltkreise (ASICs) soll noch in diesem Jahr begonnen werden. Die Investitionen werden auf zehn Milliarden Yen veranschlagt. Das US-Projekt ist Teil der neuen Toshiba-Strategie, die Produktion näher an die wichtigsten Absatzmärkte anzubinden. Bisher hatte das Unternehmen auf Joint-venture gesetzt. Mit eigenen Werken sind in den USA schon NEC Corp., Hitachi Ltd., Mitsubishi Electric Corp. und Fujitsu Ltd. vertreten.