MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Der japanische Toshiba-Konzern will gemeinsam mit seinem kalifornischen Partner Sandisk einen Flash-Speicherchip mit einer Kapazität von vier Gigabit entwickeln. Dies sei möglich, indem man den Fertigungsprozess für NAND-Speicherbausteine auf 90 Nanometer umstelle. Zurzeit werden laut Toshiba Chips mit zwei Gigabit Kapazität im 130-Nanometer-Prozess gefertigt.

Durch die Verbesserung der Fertigungstechnik sei es möglich, elektrische Interferenzen zu minimieren und auf jeder Speicherzelle zwei statt wie bisher ein Bit abzuspeichern, so die Hersteller. Erste Flash-Speichermodule mit vier Gigabit Fassungsvermögen sollen im ersten Quartal 2004 auf den Markt kommen. (lex)