Der koreanische Elektronikkonzern Samsung hat Flash-Speicherprozessoren mit 8 GBit vorgestellt, die mit 60 Nanometer breiten Leiterbahnen gefertigt sind. Damit lassen sich Memory-Karten mit bis zu 16 GB aufbauen, die in Flash-Karten und Mobiltelefonen eingesetzt werden. Auf 16 GB lassen sich rund 4000 MP3-Audiofiles oder 16 Stunden Videos unterbringen. Derzeitige Flash-Karten fassen maximal 4 GB. Zudem zeigte Samsung DDR-DRAM, die im 80-Nanometer-Verfahren produziert werden und für Rechner gedacht sind.

Die beiden neuen sind allerdings noch nicht marktreif: Samsung hatte erst in diesem Jahr zunächst den Fertigungsprozess mit 90 Nanometer eingeführt. Erst im kommenden Jahr dürften die Leiterbahnen für die Massenfertigung erneut verkleinert werden können. (kk)