MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Der südkoreanische Samsung-Konzern hat nach eigenen Angaben die Entwicklung des weltweit ersten 576-Mbit-RDRAM-Speicherbausteins (Rambus Dynamic Random Access Memory) erfolgreich abgeschlossen. Dieses weise Strukturbreiten von nur 0,12 Mikrometer auf und eigne sich mit einer Taktfrequenz von 1066 Megahertz für den Einsatz in Hochleistungs-PCs, Workstations und Servern, so der Hersteller. Durch Kombination der Bausteine ließen sich Module mit mehr als 1 GB Kapazität fertigen. Die Architektur sei dabei identisch mit der von Commodity-DRAMs (vier Speicherbänke), was eine kostengünstige Fertigung ermögliche. Die Massenproduktion will Samsung, das bereits RDRAMS mit 128 und 256 Mbit fertigt, im zweiten Quartal kommenden Jahres aufnehmen.