Neue Speichergenerationen auck künftig alle 2 bis 3 Jahre

10.12.1976

MÜNCHEN - Die hohe Innovationsrate bei den Bauelementen dürfte

auch in den nächsten Jahren wichtigstes Merkmal für die Entwicklung von Halbleiterspeichern sein: "Neue Bausteine kommen in regelmäßigen Abständen von zwei bis drei Jahren auf den Markt. Die DV-Hersteller folgen diesem Trend mit möglichst kurzer Zeitverzögerung. Die Kostenverteile, die mit der Einführung neuer, höher integrierter Bauelemente verbunden sind, überwiegen nämlich die Aufwendungen für die Einführung einer neuen Speicher-Generation", berichtete Hans Jörg Penzel (Siemens AG) beim Kongreß Mikroelektronik in München. Beünstigt werde diese Entwicklung durch die Kundenwünsche nach immer größeren Speicherkapazitäten und die Konkurrenzsituation am DV-Markt. Wichtigster Kostenfaktor bei der Entwicklung eines neuen Speichersystems ist nach Siemens-Erfahrungen heute der Aufbau einer bausteinspezifischen Prüftechnik. Sie erfordert etwa 70 Prozent des gesamten Entwicklungsaufwandes. -py