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IBM macht seinen SiGe-Chips Dampf

05.08.2005

MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - IBM kündigt heute die mittlerweile vierte Generation seiner Silizium-Germanium-Halbleiter (SiGe) an. Diese erreicht unter anderem durch den Umstieg von 180- auf 130-Nanometer-Strukturbreiten nun Taktfrequenzen bis zu 200 Gigahertz und ist damit doppelt so schnell wie die vorherige. Bei geringerer Geschwindigkeit nehmen der "8HP" und "8WL" nur noch halb so viel Leistung auf wie ihre Vorgänger. Big Blue hofft, die neuen Chips damit interessanter für zum Beispiel den Einsatz in Mobiltelefonen zu machen, in denen gegenwärtig die teureren Gallium-Arsenid-Halbleiter dominieren.

Silizium-Germanium-Chips werden für Kommunikationsfunktionen benutzt, weil sie sowohl digitale Verarbeitung wie auch analogen Funk beherrschen. Sie sind günstiger als Gallium-Arsenid, weil sie sich mit herkömmlichen Produktionsmaschinen fertigen lassen.

Als weitere mögliche Anwendung stellte Bernie Myerson, Chief Technologist von IBMs Systems and Technology Group, Radar-Unfallvermeidungssysteme in Autos in Aussicht. Solche gebe es auf Gallium-Arsenid-Basis bereits in einigen wenigen Nobelkarossen. Der Preisvorteil von SiGe könnte solche Technik tauglicher für den Massenmarkt machen. Ebenfalls denkbar sei der Einsatz in hochfrequenten Drahtlosnetzen, die nicht das überbevölkerte 2,4-Gigahertz-Frequenzband verwenden, in dem es Störungen durch unter anderem Schnurlostelefone oder Mikrowellen geben kann. (tc)