MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Im chinesischen Wuxi entsteht ab 2005 eine Fabrik zum Bau von Speicherbausteinen. Das Zwei-Milliarden-Dollar-Projekt wird zur Hälfte vom chinesischen Staat finanziert. Die restliche Milliarde teilen sich die beiden Unternehmen Hynix Semiconductor und ST Microelectronics. Der koreanische Chiphersteller Hynix will dort DRAMs (Dynamic Random Accesss Memory) produzieren, während die Genfer ST Microelectronics die Fertigungskapazität für NAND-Flash-Bausteine erweitern wird, die in Geräten der Consumer-Electronic eingesetzt werden.

Die Fabrik soll einen Reinraum mit einer Fläche von 18.000 Quadratmetern erhalten und Wafer mit einem Durchmesser von acht und zwölf Zoll fertigen. Geplant ist, ab spätestens 2007 monatlich 20.000 Wafer zu produzieren. (kk)