EAST FISHKILL (CW) - Die IBM Corp. und die Siemens AG haben erste Muster des von ihnen gemeinsam entwickelten 64-Megabit- Speicherbausteins an einige ausgewaehlte Kunden ausgeliefert. Nach Angaben der Unternehmen handelt es sich bei den jetzt ausgelieferten Funktionsmustern um erste verfuegbare DRAMs (Dynamic Random Access Memory) dieser Kapazitaet. "Diese ersten Funktionsmuster stellen einen wichtigen Meilenstein unserer gemeinsamen Entwicklungsanstrengungen dar", sagte Juergen Knorr, Chef der Siemens-Halbleiter-Division.

Der 10,7 mal 18,1 Millimeter messende Baustein wurde in CMOS- Technik entwickelt; die kleinsten Strukturen sind nicht groesser als 0,35 Micron (1 Micron= 0,001 Millimeter). Der 3,3-Volt-Speicher soll mit Zugriffszeiten von 40, 50 und 60 Nanosekunden angeboten werden. Welche Fabriken die Massenproduktion des Bausteins uebernehmen sollen, sei noch nicht entschieden.