Demnach wurden mit Versuchsschaltungen und Test-Chips in IBMs High-end-Fertigungsstätte in East Fishkill, New York, signifikante Leistungszuwächse und Energieeinsparungen erzielt. Dabei wurde das Spezialmaterial "High-K/Metal Gate" (HKMG) in Halbleitern mit Strukturbreiten von 32 Nanometer eingesetzt. Solche Chips brachten bei gleicher Versorgungsspannung bis zu 35 Prozent mehr Leistung als in 45 Nanometer gefertigte Pendants. Bei gleicher Leistung sei alternativ ein um 30 bis 50 Prozent geringerer Stromverbrauch zu erzielen, teilt Big Blue mit.

Die HKMG-Technik sei nun bereit für den Erstkundeneinsatz. IBM arbeitet bei der Weiterentwicklung seiner Halbleiter-Produktion in der "Common Platform Alliance" mit Chartered Semiconductor und Samsung zusammen. Zum erweiterten Partnerkreis gehören ferner Freescale Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics und Toshiba.

IBM hatte zusammen mit Partnern bereits vor gut einem Jahr angekündigt, mit der HKMG-Technik längerfristig die Weiterentwicklung von Transistoren verbessern zu wollen. Die Grundlagenforschung lässt hoffen, dass sich das Spezialmaterial sogar bis hinab zu einem künftigen 22-Nanometer-Fertigungsprozess nutzen lässt - Moore's Law gilt damit möglicherweise einmal mehr länger als gedacht. (tc)