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Toshiba baut extrem schnellen RAM-Baustein

30.03.2005

MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Einen Geschwindigkeitsweltrekord für Speicherchips meldet Toshiba. Eine 512-Mbit-Speicherzelle des Typs XDR (Extreme Data Rate) DRAM (Dynamic Random Access Memory) läuft mit einer Taktrate von 4,8 Gigahertz. Das ist gut ein dutzend Mal schneller als in marktüblichen RAM-Bausteinen. Der Chip bringt es auf einen Durchsatz von 12,8 GB pro Sekunde. Durch Erhöhung der anliegenden Spannung lässt sich die Taktrate bis auf 6,4 Gigahertz treiben.

XDR ist eine Technik, die der US-amerikanische Chipentwickler Rambus Inc. entwickelt hat. Auch eine zweite Technik von Rambus hat Toshiba für den Speicherbaustein verwendet: ODR (Octal Data Rate). Wie der Name andeutet, transferiert diese Signaltechnik pro Takt acht Datenbits.

Toshiba produziert derzeit Prototypen des Bausteins, aus dem RAM-Blöcke entstehen. Die Massenproduktion soll in der zweiten Hälfte dieses Jahres anlaufen. Für den gleichen Zeitraum haben auch die südkoreanische Samsung Electronics und der japanische Produzent Elpida Memory den Beginn von Großserien eigener 512-Mbit-XDR-Speicherzellen angekündigt.

Entsprechend schnelle RAM-Riegel dürften sich zunächst wohl nicht in normalen Desktops oder Servern wieder finden. Sie bieten sich eher an für hoch auflösende TV-Geräte, grafische Highend-Workstations und Spielekonsolen. Sony hat angekündigt, 512-Mbit-XDR-Chips für den Speicher der künftigen Playstation 3 verwenden zu wollen. (ls)