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IBM meldet schnellsten Silizium-basierenden Transistor

04.11.2002

MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - IBM hat nach eigenen Angaben den bislang schnellsten Transistor auf Silizium-Basis überhaupt entwickelt. Mithilfe eines modifizierten Designs komme das für die Halbleitertechnik grundlegende Schaltelement auf eine Taktrate von 350 Gigahertz, meldet Big Blue. Das sei 65 Prozent schneller als bisherige Transistoren und werde künftig - die Serienreife könnte 2005 oder 2006 erreicht werden - Kommunikations-Chips mit Taktfrequenzen von 150 Gigahertz und mehr möglich machen. Der neue ultraschnelle Transistor besteht aus einer Kombination aus Silizium und Germanium ("SiGe"), ist ungewöhnlich dünn und verfügt deswegen über besonders kurze Wege für durchfließende Elektronen. Details seiner Technik will der Konzern im kommenden Monat auf dem Kongress International Electron Devices in San Francisco präsentieren. (tc)