Web

 

AMD entwickelt neue Transistor-Designs

03.04.2003

MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - AMD-Forscher haben einen Transistor entwickelt, der bis zu 30 mal schneller sein soll, als bislang verfügbare PMOS-Halbleiter (P Kanal Metal Oxide Semiconductor). Laut AMD wurden proprietäre und als "Fully Depleated Silicon-on-Insulator" bezeichnete Technologien zusammengeführt. Dabei werden Oxid-Schichten genutzt, um eine vollständige Isolierung jedes Bauelements der integrierten Schaltung zu erreichen. Das soll durch Leckströme verursachte Kapazitätsverluste verhindern.

Im Zusammenhang mit dieser Entwicklung hat der Hersteller einen sogenannten "Strained-Silicon"-Transistor mit Metall-Gates ausgestattet. Das bringe einen Performance-Gewinn von 20 bis 25 Prozent gegenüber herkömmlichen Hableitern, die auf gestreckten Siliziumkristallgittern basieren, so die Forscher. Laut AMD sollen die neuen Transistoren, die voraussichtlich Mitte Juni auf der Fachmesse VLSI Symposium in Kyoto vorgestellt werden, als Grundlage für neue Prozessor-Designs dienen. (lex)