YORKTOWN HEIGHTS (CW) - Wissenschaftler im IBM-Forschungszentrum Yorktown Heights haben die bisher schnellsten Silizium-Schaltkreise entwickelt und getestet. Dabei wurden nach einer Meldung von vwd Transistoren aus Zehntel-Mikron-Teilen eingesetzt. Die Experimental-Schaltkreise können 75milliardenmal pro Sekunde ein- und ausschalten. Wie IBM mitteilt, wird durch die Schaltzeit von 13 Pikosekunden die Geschwindigkeit bisheriger Silizium-Transistoren mehr als verdoppelt.
Von IBM-Seite wird aber auch betont, daß noch komplexe Probleme gelöst werden müssen, bevor Chips realisierbar sind, bei denen voller Nutzen aus der geringen Größe und der hohen Geschwindigkeit der Transistoren gezogen werden kann. Die Zehntel-Mikron-Silizium-Transistoren könnten zur Schließung der Lücke zwischen Silizium und dem Alternativ-Material Galliumarsenid beitragen. Sie könnten in Zukunft die Basis für Maschinen von PC-Größe sein.