Samsung hat den nach eigenen Angaben ersten Flash-Baustein der Welt mit 16 Gigabit und einer Strukturbreite von 50 Nanometer vorgestellt. Der neue NAND-Chip kann wie schon seine Vorgänger durch das Multi-Level-Cell-Design mehrere Informations-Bits pro Zelle speichern. Zusammen mit der erhöhten Blockgröße von 4 Kilobyte statt der bisher üblichen 2 Kilobyte soll sich die Datentransferrate dramatisch erhöhen. Laut Samsung soll sich die Leserate verdoppeln, das Schreiben immerhin noch 50 Prozent schneller erfolgen.
Wichtiger ist jedoch die höhere Kapazität, die sich durch die neue Herstellungstechnik erreichen lässt. Speicherkarten bis zu 32 Gigabyte sollen so möglich sein. Die Massenfertigung soll noch im ersten Quartal diesen Jahres beginnen, Samsung hat schon erste Testmuster an die Hersteller von Endgeräten ausgeliefert. Anwendungsbereiche sind mobile Geräte, wie MP3-Player oder Handys, die mit externen Speicherkarten arbeiten oder Mobiltelefone mit eingebautem Flash-Speicher.