Die SOS-Technologie (Silicon-onsaphire) basiert auf den isolierenden Eigenschaften eines Saphir-Substrates. SOS kombiniert die Vorteile der MOS-Technologie (hohe Packungsdichte, geringer Energieverbrauch und niedrige Kosten) mit der hohen Geschwindigkeit der bipolaren Technologie. Hinzu kommt die Kompatibilität zur TTL-Logik (Transistor-Transistor-Logic). Die SOS-Technologie ist besonders attraktiv für komplementäre MOS-Schaltungen und weniger für N-Kanal-MOS, weil sie dem Chip-Entwerfer die Möglichkeit gibt, LSI-Geschwindigkeit und -Dichte mit dem, Geringere Energieverbrauch, der einfachen Handhabung und der geringen Störungsanfälligkeit von CMOS zu verbinden. Es gibt eine Kontroverse darüber, ob die Vorteile von SOS die Schwierigkeit der Herstellung des Saphir-Substrates und die damit verbundenen Kosten aufwiegen. Andere Techniken wie I²L (Integrated-Injection-Logic, I-Quadrat-L) und LSI-Formen von TTL und ECL (Emitter-Coupled-Logic) bieten sich für die herkömmliche Silikontechnik an. Viele Halbleiterhersteller glauben, daß sie LSI-Leistungsfähigkeit zu einem geringeren Preis bieten als SOS. Dabei wird auf I²L-Mikroprozessoren und -Speicher verwiesen sowie auf Schottky-TTL- und ECL-LSI-Prozessoren als Beweis dafür, daß die, neuen und verbesserten Formen der bipolaren Logik den richtigen Weg darstellen. Die Diskussion ist noch nicht abgeschlossen