Der so genannte FeRAM-Chip verfügt über 64 Megabit Speicherkapazität und kann Daten mit einer Geschwindigkeit von 200 Megabyte pro Sekunde lesen und schreiben, teilte das Unternehmen am Dienstag mit. Eine solche Kombination aus Leistung und Dichte habe es weltweit bisher nicht gegeben.

Als FeRAM-Chips (Ferroelectric Random Access Memory) bezeichnet man eine Speicherart auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, die ähnlich wie Magnete funktionieren. Toshiba will die Entwicklung von FeRAM zwecks breiter Nutzung vorantreiben, unter anderem für leistungsstarke mobile digitale Geräte sowie Computer.

Daneben entwickelte Toshiba zusammen mit dem japanischen Elektronikunternehmen NEC einen weiteren neuartigen Chip vom Typ MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Er habe eine Dichte von 16 Megabit und könne mit einer Geschwindigkeit von 200-Megabyte pro Sekunde lesen und schreiben - auch dies sei die weltweit höchste bisher erzielte Leistung für einen solchen Chip. (dpa/tc)