MÜNCHEN(CW) - Statische Schreib/Lesespeicher (SRAMs) werden die AT&T Microelectronics und das kalifornische Halbleiterunternehmen Paradigm Technology künftig gemeinsam entwickeln. Daneben sollen neue, innovative Prozeßverfahren für die Fertigung dieser Speicherspezies geschaffen werden.

Bis 1991 wird der Markt für SRAMs ein Volumen von mehr als einer Milliarde Dollar aufweisen, so AT&T, Unterföhring. Die Kooperation ist zunächst auf fünf Jahre befristet und verlangt von AT&T ein finanzielles Engagement in der Größenordnung von einigen Millionen Dollar. AT&T verspricht sich von der Zusammenarbeit mit Paradigm einen frühen Zugang zu diesem Marktsektor.

Im Rahmen der Zusammenarbeit stellt Paradigm Technology sein Know-how im Entwurf und in der Fertigung von SRAMs hoher Integrationsdichte zur Verfügung. Als Gegenleistung erhalten die Kalifornier, die derzeit mit einer eigenen Fertigungslinie im amerikanischen San Jose relativ geringe Stückzahlen produzieren, Zugriff auf die weltweiten Produktionskapazitäten von AT&T. Paradigms Erfahrung in der Produktion solcher Speicherbausteine hoher Packungsdichte stellt nach Auffassung von AT&T eine ideale Ergänzung zu ihrer 0,9-Mikrometer-Technologie dar.

Als erstes Projekt wollen AT&T und Paradigm eine Familie von 256-Kilobit-SRAMs mit Zugriffszeiten unter 20 Nanosekunden realisieren. Diese Bausteine sollen ab dem vierten Quartal in Musterstückzahlen zur Verfügung stehen. Darüber hinaus sind 1-MB-Chips mit Zugriffszeiten unter 25 Nanosekunden sowie 4-Megabit-Chips geplant.

Zum Vergleich: Derzeit erhältliche 25-Kilobit-SRAMs neuester Technologie bieten Zugriffszeiten von etwa 25 Nanosekunden, 1-Megabit-Chips liegen bei ungefähr 50 Nanosekunden. Diese beiden Schreib/Lesespeicher sollen die Basis einer ganzen Palette weiterer Produkte werden.