MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Der weltweit drittgrößte Halbleiterhersteller ST Microelectronics hat Silizium-basierende LEDs (Light Emitting Diodes) entwickelt, die den Wirkungsgrad herkömmlicher Galliumarsenid-Dioden übertreffen. Die Leuchtdioden können nahtlos in Siliziumkomponenten integriert werden, so dass sich zum Beispiel die optische Datenübertragung auf einem Chip realisieren lässt. Zunächst werden die Dioden eingesetzt, um den Energiefluss in Halbleitern zu regeln. Durch die Technologie könne man auf energiedurstige Relais-Schaltungen verzichten, sagt der Hersteller. Später sollen die Komponenten als Basis für kostengünstige integrierte Geräte für DWDM-Netze (Dense Wavelength Division Multiplexing) dienen.

Bereits Anfang 2001 entwickelten britische Forscher eine Silizium-LED. Sie beschossen das für optoelektronische Anwendungen eigentlich ungeeignete Material mit Bor-Ionen und erzielten damit zehn Prozent des Wirkungsgrades einer Galliumarsenid-Diode. ST Microelectronics verwendete Ionen der Edelmetalle Erbium und Cerium und erreichte damit deutlich bessere Ergebnisse. Die Methode ließ sich der Hersteller patentieren. (lex)