Der koreanische Elektrogigant Samsung entwickelt derzeit SDRAM-Speicher, die nahezu doppelt so schnell sind wie herkömmliche Bausteine (SDRAM= Synchronous Dynamic Random Access Memory). Dazu setzt das Unternehmen die "Double-Data-Rate"-(DDR-)Technik ein, bei der die Daten sowohl während der aufsteigenden als auch der abfallenden Flanke des Taktsignals gelesen werden. Der Baustein mit Pipeline-Architektur erreicht eine Bandbreite von 333 Mbit/s oder 264 Millionen Zeichen pro Sekunde. Samsung will die Chips, die mit 350 Megahertz getaktet sind, in 0,13-Mikrometer-Technik fertigen. Nach Angaben des Unternehmens müssen trotz der feinen Leiterbahnen keine neuen Lithografiemaschinen angeschafft werden. Die ersten Muster sollen noch in diesem Jahr verfügbar sein.