Die US-Firma Reveo hat nach eigenen Angaben eine Speichertechnologie entwickelt, die auf dreidimensional angeordneten integrierten Schaltkreisen (ICs) basiert. Damit soll sich eine um den Faktor 1000 höhere Speicherdichte als bei herkömmlichen Komponenten realisieren lassen.

Die von Reveo entwickelte Methode sieht vor, mehrere sehr dünne IC-Schichten zusammenzupacken. Die Schaltkreise werden mit Hilfe von Wafern produziert und gestapelt - bis zu 1000 Stück mit der Dicke von je fünf Micron. Verbunden sind sie über Leitungen in den Seitenwänden des Stapels. Laut Sadeg Faris, Chief Executive Officer von Reveo, lassen sich auf diese Weise sowohl kleine Speichermodule mit 256 Gigabit Fassungsvermögen als auch Komponenten herstellen, die eine Kapazität von einem Terabit bieten (1 Terabit = 1000 Gigabit).

Die MFT (Multi-Filo Layer Technology) genannte Technik nutzt nach Angaben Faris konventionelle Fertigungsprozesse, zum Beispiel 0,1-Micron-Technologie. Das komplizierte Packaging der Komponenten, wie bei konventionellen Chips entfalle. Dadurch vergünstige sich die Produktion um den Faktor zehn. Bislang muss jeder Speicherchip in ein eigenes DIP (Dual Inline Package) gepackt werden, die sich dann zu SIMMS (Single In-Line Memory Modules) weiterverarbeiten lassen.

Wann auf der neuen Technologie basierende Speicher erhältlich sein wird, ist noch nicht bekannt. In der Regel gründet das Unternehmen Tochtergesellschaften aus, die die Entwicklungen des Mutterkonzerns auf den Markt bringen. So hat Reveo zum Beispiel die Firma eVionyx gegründet, die in Taiwan und den USA eine Brennstoffzelle vermarktet, die vielseitig einsetzbar ist, unter anderem in kleinen Geräten wie PDAs (Personal Digital Assistants). Zu größeren Einheiten gebündelt dient sie auch als Energiespender für Elektroautos. (lex)