In Zukunft "Fusion"

RAM und Flash wachsen zusammen

15.03.2002

MÜNCHEN (cw) - Samsungs Speicherchef Chang-Gyu Hwang erwartet, dass sich ab 2005 die Vorteile von DRAMs (hohe Speicherkapazität), SRAMs (hohe Verarbeitungsgeschwindigkeit) und von Flash-Chips (nichtflüchtige Datenspeicherung) in einem "Fusion"-Speicherchip kombinieren werden. Außerdem würden solche Bausteine dann auch Logikfunktionen enthalten können, erklärte Hwang auf der International Solid-State Circuits Conference in San Francisco. (kk)