Nicht Snapdragon 830, sondern Snapdragon 835 wird der heute offiziell von Qualcomm angekündigte Nachfolger des aktuellen Highend-Chipsatzes Snapdragon 821 heißen. Wie schon bei der 820er-Generation zeigt sich Samsung für die Fertigung der neuen Smartphone-Platine verantwortlich, die Koreaner produzieren den Snapdragon 835 im neuen 10-Nanometer-FinFET-Prozess. Der lässt die Fläche des neuen Chipsatzes laut Samsung um 30 Prozent gegenüber dem 14-Nanometer-Vorgänger schrumpfen, während gleichzeitig die Leistung um bis zu 27 Prozent steigt oder der Energieverbrauch um bis zu 40 Prozent gesenkt werden.
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Nähere Details zur Prozessor-Architektur des Snapdragon 835 hat Qualcomm noch nicht verraten, wohl aber, dass der Chipsatz das neue Schnellladesystem Quick Charge 4.0 unterstützt. Der neue Standard ist voll kompatibel zum USB-C-Protokoll und nutzt die vom USB-IF festgelegten USB- Power-Delivery-Spezifikationen, die sich auch Google anstelle proprietärer Technologien für künftige Android-Smartphones wünscht. Quick Charge 4.0 soll um 20 Prozent schneller und 30 Prozent effizienter sein als der Vorgängerstandard. Laut Qualcomm bietet eine fünfminütige Druckbetankung eine Akkulaufzeit von weiteren fünf Stunden, in 15 Minuten sollen bis zu 50 Prozent Ladung wiederhergestellt sein.
Der Snapdragon 835 befindet sich bereits bei Samsung in der Fertigung und soll in Smartphones zum Einsatz kommen, die für die erste Hälfte des kommenden Jahres erwartet werden. Als Kandidaten bieten sich demnach der Nachfolger zum HTC 10, das LG G6 oder auch das Samsung Galaxy S8 für den US-Markt an.