Produktion von LSI in USA verzögert:Hitachi führt Witterung als Grund an

02.11.1979

TOKIO (vwd) - Die von der japanischen Hitachi Ltd. für das Frühjahr 1979 geplante Aufnahme der Produktion von LSI-Bauteilen in den USA bei ihrer US Tochtergesellschaft Hitachi Semiconductor America Inc. wird frühestens Ende dieses Jahres Wirklichkeit.

Hitachi begründete dies in Tokio mit zum Teil witterungsbedingten Verspätungen beim Bau des Werks.

Anfang Oktober hatten die Nippon Electric Co. und die Fujitsu Ltd. die Produktion von Halbleitern in den USA angekündigt. Wie aus Tokio verlautet, planen auch die Toshiba Corp. und die Mitsubishi Electric Corp. diesen Schritt.