MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - NEC hat auf der vom IEEE (Institute of Electrical and Electronic Engeneers) veranstalteten Konferenz International Electron Devices Meeting 2003 (IDEM) den nach eigenen Angaben weltweit kleinsten Transistor gezeigt. Er weist eine Gate-Länge von fünf Nanometern auf (ein Nanometer = ein milliardstel Meter). Damit sind die Gates einen Nanometer kürzer als ein auf der letztjährigen Veranstaltung von IBM gezeigter Halbleiter.

Durch kleinere Transistorgrößen lassen sich leistungsfähigere Chips bauen, die einen geringeren Energiebedarf aufweisen. Die Massenproduktion von fünf-Nanometer-Transistoren könnte jedoch frühestens 2020 beginnen, heißt es bei NEC. Je geringer die Länge der Gates ist, desto schwieriger ist es, die Funktion der Transistoren zu gewährleisten, sagen Experten. Der Grund liege im Aufbau der Bauteile, die aus Zuleitung (Source), Ableitung (Drain) und einer Schaltung (Gate) bestehen, über die sich der Elektronenfluss zwischen den Leitungen steuern lässt. Sinkt die Gate-Länge unter fünf Nanometer, lassen sich die Elektronen nicht mehr bremsen. Sie fließen von der Zuleitung in die Ableitung, auch wenn das Gate auf "aus" geschaltet ist. In der Folge kann der Transistor den Schaltungszustand "0" nicht mehr abbilden und gibt nur noch "1" aus. (lex)