Nach Angaben der Siemens-Tochter zeichnet sich die mobile DRAM-Serie durch besondere Genügsamkeit in Sachen Stromverbrauch sowie kleine Abmessungen aus und soll demnach für den Einsatz in batteriebetriebenen Mobilgeräten wie Smartphones, Personal Digital Assistants (PDAs) und Handheld-PCs konzipiert sein.

Der erste Spross der mobilen Bausteinfamilie ist ein synchrones DRAM-Modul, das über eine Gesamtkapazität von 128 Mbit verfügt. Aufgrund seines speziellen Power-Managements soll sich Infineons Neuentwicklung mit bis zu 80 Prozent weniger Strom als ein herkömmlicher SDRAM-Chip begnügen.

Laut Hersteller lässt sich das in einem Ball-Grid-Array-(BGA-)Gehäuse montierte Mobile-RAM dank seiner Bauweise in Umgebungen mit sowohl 16 als auch 32 Bit Busbreite verwenden. Der Platzbedarf des Mobil-Speichers (acht mal neun Millimeter) soll im Vergleich zu einem im Standard-TSOP-Gehäuse untergebrachten DRAM um den Faktor drei reduziert sein.

Erste Muster des 128-Mbit-Mobile-RAM werden im zweiten Quartal 2001 verfügbar sein. Mit der Massenproduktion will Infineon Ende dieses Jahres beginnen.