MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Infineon hat den weltweit ersten NAND-kompatiblen Flash-Chip auf Basis der "TwinFlash"-Technologie angekündigt. Sie ermöglicht es, zwei separate Bits in einer Transistorzelle zu speichern. Entwickelt wurde der Speicherchip von der gemeinsam mit Saifun Semiconductors gegründeten Infineon Technologies Flash GmbH & Co. Die ersten Produkte werden bereits in Infineons 200-mm-DRAM-Fabrik in Dresden gefertigt.

TwinFlash basiert auf der NROM-Technologie (Nitrided Read Only Memory), einer nichtflüchtigen Speichertechnologie, die von Saifun entwickelt wurde. Sie dient auch als Basis für NOR-Flashs und EEPROMs.

Im Gegensatz zu vergleichbaren Floating-Gate-Technologien mit nur einem Bit pro Zelle und äquivalenten Prozessstrukturen ermöglicht TwinFlash um 40 Prozent kleinere Chip-Abmessungen. Die Technologie benötigt außerdem weniger Belichtungsmasken. Dadurch lassen sich die Produktionskosten senken, heißt es beim Hersteller. Bis Ende 2004 will Infineon mehr als 10.000 Wafer pro Monat auf Basis der 170-Nanometer-Technologie produzieren. Die nächste TwinFlash-Generation mit Strukturen von 110 Nanometern befindet sich bereits in Entwicklung. Damit sollen sich höhere Dichten mit bis zu zwei Gigabit realisieren lassen.

Die Marktforscher von Gartner Dataquest erwarten, dass der weltweite Markt für NAND-Flash-Speicher von 3,36 Milliarden Dollar im vergangenen Jahr um voraussichtlich 30,8 Prozent auf 4,4 Milliarden Dollar in 2004 anwachsen. (lex)