Intels Chief Technology Officer (CTO) Justin Rattner demonstrierte auf dem Intel Developer Forum (IDF) in Peking einen unter dem Codenamen "Alverston" entwickelten Prototypen mit 128 Bit Kapazität. An dem Projekt arbeitet der weltgrößte Chiphersteller gemeinsam mit dem italienisch-französischen Anbieter ST Microelectronics.

Phase-Change Memory besteht aus ähnlichem Material wie CD-Rohlinge. Ein Chip ist in kleine Segmente aufgeteilt. Wird eines davon erhitzt, kristallisiert das Material im Innern und kann Licht reflektieren - es stellt dann im Binärsystem den Zustand "1" dar. Kühlt man es wieder ab, wird es amorph, reflektiert nicht mehr und hat Zustand "0".

Intel-Gründer Gordon Moore hatte dergleichen unter der Bezeichnung "Ovonics Memory" schon im September 1970 in der Zeitschrift "Electronics" umrissen. Seinerzeit fehlte es aber noch an Fertigungsmethoden und Zuverlässigkeit: Um ein Bit von 0 auf 1 umzuschalten, muss man es entweder mit einer elektrischen Ladung pulsen oder schnell auf 600 Grad Celsius aufheizen, ohne die angrenzenden Bits ebenfalls umzusetzen. (tc)