SAN FRANCISCO (CW) - Zwei Highlights hat es im Verlauf der "International Solid-State Circuit Conference" (ISSCC) in San Francisco durch Ankündigungen von IBM und NEC gegeben. Wie die Nachrichtenagentur VWD mitteilte, hat IBM dort die Entwicklung des bisher schnellsten DRAM-Chips (DRAM = Dynamic Random Access Memory) bekanntgegeben.

Danach können die experimentellen Halbleiter ein Bit innerhalb von 20 Nanosekunden (ns) speichern beziehungsweise abrufen.

Diese Geschwindigkeit ist dreimal so hoch wie die von fortgeschrittenen DRAM-Chips. Zu den weiteren vorgestellten Entwicklungen gehört ein experimenteller SRAM-Chip (SRAM = Static Random Access Memory), der innerhalb von 11 Nanosekunden auf Informationen zugreift und damit ebenfalls der schnellste Chip seiner Art sein soll. Ein weiteres SRAM-Bauelement mit einer Kapazität von insgesamt einer Million Bit basiert auf der bisher kleinsten Sechs-Transistor-Speicherzelle und benötigt weniger Spannung als die vorherige Ausführung.

Im Gegenzug hat die NEC Corporation den schnellsten 1-KB-RAM-Chip angekündigt. Mit Hilfe eines supraleitenden Schaltelements, dem "Josephson-Übergang", soll er eine Zugriffszeit von 570 Picosekunden erreichen und wäre damit zirka zehnmal schneller als herkömmliche Chips auf Silizium-Basis. Nach Aussagen von Fachleuten wäre dieser Chip der erste hochintegrierte Baustein, der den "Josephson-Übergang" nutzt.