Allerdings nicht unter normalen Umgebungsbedingungen, sondern heruntergekühlt auf minus 451 Grad Fahrenheit, also nur relativ knapp über dem absoluten Nullpunkt (minus 459,67 Grad Fahrenheit). Des Weiteren nutzten die Wissenschaftler für ihre Prototypen kein herkömmliches Silizium, sondern eine Kombination aus Silizium und Germanium. Diese wird immer beliebter, wenn es um besonders schnelle Halbleiter geht.

Aber auch bei Raumtemperatur lassen sich die experimentellen Halbleiter auf bis zu 350 Gigahertz takten. Zum Vergleich: SiGe-Chips in aktuellen Mobiltelefonen (wo sie allerdings energieeffizient eingesetzt werden) kommen gerade einmal auf 2 GHz. Aus Sicht des Georgia-Tech-Professors John Cressler "zeigt dies, wo die Zukunft Silizium-basierender Halbleiter hingeht". Weil man solche SiGe-Chips mit traditioneller Fertigungstechnik produzieren könne, seien sie kostengünstiger als solche aus exotischeren Materialien wie Galliumarsenid.

Bernie Myerson, Chief Technology Officer des IBM-Bereichs Systems and Technology, geht davon aus, dass Raumtemperatur-Ausführungen der neuen Chips bereits binnen zwei Jahren etwa in drahtlosen Netzen für Haushalte und Büros zum Einsatz kommen könnten. WLANs mit 60 Gigahertz könnten beispielsweise hochauflösendes Fernsehen, Filme auf Abruf oder interaktive Spiele übertragen und dabei auf teure Spezialchips zur Kompression und Dekompression der Daten verzichten. (tc)