MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Die Chiphersteller IBM und AMD haben eine neue Methode entwickelt, mit der sich die "Strained-Silicon"-Technologie auf Transistoren implementieren lässt. Strained Silicon (gestrecktes Silizium) weist gegenüber herkömmlichem Silizium eine abgeänderte Gitterstruktur auf. Der Abstand zwischen den einzelnen Atomen ist größer, wodurch Elektronen auf weniger Widerstand stoßen und um bis zu 70 Prozent schneller fließen. Die Performance von Chips soll sich dadurch steigern lassen, ohne die Transistorgröße zu verändern.

Die neue Fertigungstechnik mit der Bezeichnung "Dual Stress Liner" erhöhe die Geschwindigkeit der Transistoren um 24 Prozent, heißt es in einem Statement der Hersteller. Sie soll in der ersten Jahreshälfte bei der Produktion von AMD-CPUs der Typen "Athlon 64" und "Opteron" sowie bei der Fertigung von IBMs Power-Prozessoren zum Einsatz kommen.

Offiziell präsentiert wird das neue Verfahren voraussichtlich auf dem IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2004), das heute in San Francisco beginnt. (lex)