MÜNCHEN (CW) - IBM will den weltweit kleinsten lauffähigen Silizium-Transistor entwickelt haben. Mit einer Gate-Länge von lediglich sechs Nanometern soll das Zwergenbauteil ungefähr zehnmal kleiner als herkömmliche Transistoren sein. Die Gate-Länge bezeichnet die Größe des Schalters, der den Transistorzustand verändert. Kleinere Gates verkürzen die Schaltzeiten und reduzieren den Energieverbrauch. "Dank der neuen Größenordnungen könnten sich 100-mal mehr Transistoren auf einem Chip unterbringen lassen als bisher", so Randy Isaac, Vice President of Science and Technology bei IBM Research. Die Folge seien nicht nur schnellere Prozessoren, sondern auch geringere Produktionskosten. Gefertigt wurde der Mini-Transistor mit herkömmlichen lithografischen Produktionsverfahren auf SOI-Wafern (SOI = Silicon On Insulator) bei einer Belichtungswellenlänge von 248 Nanometern. Dabei ist es den IBM-Forschern gelungen, die Silizium-Schicht des neuen Transistors auf eine Dicke von nur vier bis acht Nanometern zu reduzieren und dessen einwandfreie Schaltfähigkeit dennoch zu bewahren. (lex/kf)