ARMONK/TOKIO/OSAKA (IDG/CW/vwd) - Die Chip-Front kommt nicht zur Ruhe. IBM und Texas Instruments verkünden die Fertigstellung eines 16-Mbit-DRAMS, Motorola tut kund, ebenfalls einen 64-Mbit-Chip entwickeln zu wollen und sowohl Toshiba als auch Hitachi melden die Arbeit an einem 4-Mbit-SRAM.
Vor kurzem verlautbarten die Armonker, sie hätten die Entwicklung eines 16-Mbit-DRAMs in ihrer Produktionsstätte Essex Junction abgeschlossen. Der neue Speicher übertrifft die Kapazität der bisher auf dem Markt befindlichen Memory-Bausteine um das Vierfache und weist eine Zugriffszeit von 50 Nanosekunden auf. So kann Big Blue bereits heute wertvolle neue Erkenntnisse in die mit Siemens gemeinsam projektierte 64-Mbit-DRAM-Entwicklung einbringen.
Texas Instruments (TI) beansprucht allerdings im Rennen um den 16-Mbit-DRAM ebenfalls den Platz auf dem Siegerpodest. Das Unternehmen behauptet, bereits am 12. Februar - also kurz vor der IBM - den Chip fertiggestellt zu haben. Die lachenden Dritten in diesem Streit sind allerdings mal wieder die Japaner, die laut Instat Inc., einem auf die Halbleiterindustrie spezialisierten amerikanischen Beratungsunternehmen, als erste einen Prototyp dieses Bausteins zur Verfügung hatten.
Motorola will bis 1995 ein funktionsfähiges 64-Mbit-DRAM auf dem Markt haben.
Allerdings scheint der 68000-Hersteller keine Berührungsängste gegenüber den Japanern zu hegen.
Zwar entwickle man bereits an den notwendigen Basistechnologien, hieß es bei Motorola, aber gleichzeitig habe man die Option, die heute in dem Bereich existierenden Partnerschaften auszubauen. Diese Aussagen lassen auf eine Kooperation mit Toshiba schließen. Ist doch der japanische Halbleiterproduzent bereits Partner bei der Entwicklung des 4-Mbit-Bausteins gewesen, den Motorola heute in einem eigenen Werk in Japan produziert.
Japaner entwickeln 4-Mbit SRAMs in Dünnfilm-Technik
Toshiba ist jedoch nicht nur im DRAM-Bereich tätig. Das Unternehmen kündigte gleichzeitig mit Hitachi die Entwicklung eines 4-Mbit-SRAMs an. Beide Unternehmen, die das Vorhaben unabhängig voneinander realisieren wollen, setzen Dünnfilm-Transistoren als Ersatz für Widerstände ein. Dadurch könne die Speicherkapazität erhöht werden, ohne mehr Energie zu verbrauchen. Bereits Ende nächsten Jahres sollen erste Muster des Speichers - mit einer geplanten Zugriffszeit von 23 Nanosekunden - ausgeliefert werden. Die Massenproduktion wollen sowohl Toshiba als auch Hitachi 1992 aufnehmen.
Über bereits existente SRAM-Bausteine haben Mitsubishi und AT&T ein Abkommen unterzeichnet. Der Fünfjahresvertrag schließt Technologieaustausch, die weltweite Vermarktung und die Fertigung von SRAMs durch AT&T ein. Der Telefonriese fängt demnächst an, in seinem Werk in Orlando, Florida, 256 Kbit-SRAMs für Mitsubishi zu produzieren. Darüber hinaus umfaßt der Vertrag auch zukünftige Speicher-Generationen wie zum Beispiel das 1-Mbit-SRAM.
64Mbit-RISC-Prozessor von Matsushita angekündigt
Am Vorsprung der Japaner in der Halbleitertechnik hat anscheinend auch der amerikanische Workstation-Hersteller Solbourne Computer Inc. partizipiert. Die Matsushita Electric Industrie Co. kündigte nämlich einen zusammen mit Solbourne entwickelten 64-Bit-RISC-Mikroprozessor an, der an den amerikanischen Computerhersteller geliefert und in dessen Workstations und Desktop-Rechnern eingesetzt werden soll.
Die 64-Bit-CPU, die laut Herstellerangaben eine Million Transistoren auf einem Chip von 15 Quadratmillimeter vereinigt und 40 Millionen Rechenoperationen pro Sekunde ermöglicht, soll ab Herbst diesen Jahres als Muster auch an andere US-Hersteller geliefert werden.
Zu diesem Zeitpunkt wird die neue Hochleistungs-CPU allerdings bereits in den Workstations der Solbourne Inc. eingesetzt. +