MUENCHEN (CW) - Hitachi und Texas Instruments wollen in den USA gemeinsam eine Fertigungsstaette fuer Halbleiter errichten. Ziel des Joint-ventures ist der Bau einer Wafer-Fertigungsstaette im Wert von einer halben Milliarde Dollar, in der 16-Mbit- und 64-Mbit- DRAMs hergestellt werden sollen. Standort soll die texanische Stadt Richardson sein. Das Gemeinschaftsunternehmen wird voraussichtlich 500 Mitarbeiter beschaeftigen. Gegenwaertig sprechen die beiden DV-Hersteller noch ueber Details. Die Gruendung des Joint-ventures soll in der ersten Haelfte 1995 erfolgen.