IBMs Mikroelektronik-Division hat mit der Produktion von Silizium-Germanium-(SiGe-)Chips begonnen. Das berichtet der britische Informationsdienst "Computergram". Den Angaben zufolge arbeiten derartige Halbleiter drei- bis fünfmal schneller als herkömmliche Silizium-Komponenten und verbrauchen dabei nur halb soviel Strom. Die maximalen Taktraten der für den Einsatz in der Telecom-Industrie konzipierten Chips lägen bei über 100 Gigahertz. Im Vergleich zu Gallium-Arsenid-Chips ließen sich mit SiGe-Halbleitern auch höhere Packungsdichten erzielen.