MUENCHEN (IDG) - Fujitsu Ltd. beabsichtigt, zusammen mit der Ramtron International Corp. ferroelektrische RAM-Bausteine (FRAM) zu entwickeln. Mit dieser Technik lassen sich nichtfluechtige Speicher bauen, eine Eigenschaft, die sonst nur Flash-Chips aufweisen. Die beiden Firmen arbeiten zunaechst an einer Speicherkapazitaet von 1 Mbit, fuer spaeter ist eine 16-Mbit- Entwicklung geplant.

Wie Branchenkenner berichten, untersuchen derzeit alle DRAM- Produzenten diese Technik, da man sich davon auch eine Kostensenkung bei der Herstellung von solchen Bausteinen verspricht.