Wissenschaftler der TU Ilmenau, des Instituts für Festkörper- und Werkstoffforschung (IFW) Dresden sowie des California Insitute of Technology (Caltech) melden einen entscheidenden Durchbruch bei der Herstellung von Plastiktransistoren. Dabei wird der sonst unerwünschte Effekt des "Unterätzens" genutzt und ermöglicht Kanallängen von weniger als 1 Mikrometer.

Bei dem neuen Prozess wird zunächst eine 50 Nanometer dicke Goldschicht aufgedampft und photolithographisch grob vorstrukturiert. Beim anschließenden Ätzen wird nicht nur das vom Photolack unbedeckte Gold entfernt, sondern auch ein sehr schmaler Streifen unterhalb der Lackränder. Nach einer weiteren Goldbeschichtung und dem anschließenden Entfernen der Photoschicht bleiben schmale Kanäle in der Goldschicht zurück, die mit einem leitfähigen Polymer gefüllt werden und den Transistor bilden.

Die so erzeugten Transistoren zeigen einer Mitteilung zufolge "eine hervorragende Funktionstüchtigkeit". Neben dem Unterätzen kommen nur wenige, einfache und in der Mikroelektronik etablierte Verfahren zum Einsatz. Die Technik lässt sich auch mit flexiblem Substrat (Druckerfolie) nutzen.

Aus Sicht der Forscher eröffnet sich damit die Perspektive zur Herstellung anwendungsfähiger All-Polymer-Schaltkreise. Für diese entfallen gegenüber der Silizium-Technik die drei teuren Prozesse Wafer-Fertigung, hoch auflösende Lithographie sowie sämtliche Hochtemperaturprozesse. Noch zu lösende Probleme seien nun der Übergang zu einem dünnen Isolator sowie die Reduzierung von parasitären Kapazitäten. (tc)