Durchbruch: Intel meldet erste funktionierende 45-Nanometer-Chips

26.01.2006
Dem weltweit größten Halbleiterhersteller Intel ist es nach eigenen Angaben gelungen, voll funktionsfähiges SRAM (Static Random Access Memory) mit Strukturbreiten von 45 Nanometer zu fertigen.

Intel sieht sich damit auf dem richtigen Weg, im kommenden Jahr 45-nm-Chips auf 300-Millimeter-Wafern herzustellen. Derzeit fertigt das im kalifornischen Santa Clara ansässige Unternehmen bereits in zwei Werken - in Arizona und Oregon - Halbleiter im modernster 65-Nanometer-Prozesstechnik, zwei weitere Anlagen (davon eine in Irland) werden noch in diesem Jahr in Betrieb genommen.

"Wir können als erstes Unternehmen funktionsfähige 45-nm-Chips präsentieren", freute sich Bill Holt, General Manager von Intels Technology and Manufacturing Group. "Das zeigt sehr deutlich die Vorreiterstellung von Intel in der Chipherstellung." Die 45-nm-Technik werde als Grundlage für PCs mit höherer Leistung pro Watt bilden. Der neue Prozess ermögliche Chips mit fünffacher geringerer Verlustleistung als bei heutigen Halbleitern.

Der nur für Testzwecke gefertigte SRAM-Chip besitzt mehr als eine Milliarde Transistoren. In der Fab "D1D" in Oregon sei die 45-nm-Entwicklung bereits im Gange, daneben werden gegenwärtig die "Fab 32" in Arizona und die "Fab 28" in Israel für die neue Technik aufgebaut.

Ein Interview mit Intels Senior Fellow Mark Bohr zum Thema finden Interessierte im "Manufacturing"-Channel auf intel.feedroom.com. (tc)