MÜNCHEN (CW) - Pionierarbeit in Richtung einer neuen Generation mikroelektronischer Bausteine hat Texas Instruments (TI) geleistet. In den Forschungslabors der Texaner ist es laut TI erstmals gelungen, Silizium- und Gallium-Arsenid-Transistoren auf einem Siliziumträger zu produzieren.

Das Besondere: Die beiden Werkstoffe vertragen sich eigentlich nicht, denn Silizium reagiert, wenn es verarbeitet wird, extrem auf Verunreinigungen. Eine solche Unreinheit stellt Gallium-Arsenid dar. Deshalb war bislang die Integration beider Elemente auf Chips ausgeschlossen. TI hat nun einen Cointegrationsprozeß entwickelt, der die Fertigung monolithischer Schaltkreise aus beiden Werkstoffen auf einem Silizium-Wafer realisiert. Dazu wurden auf den Wafern die Silizium-Bauelemente hergestellt, dann die Gallium-Arsenid-Inseln aufgebracht und schließlich die Metallverbindungen zwischen den einzelnen Komponenten geschaffen.

Bei TI geht man davon aus, mit der neuen Prozeßtechnologie den Weg für elektronische Systeme bereitet zu haben, die zuverlässiger sind, weniger Strom verbrauchen und in Test und Aufbau kostengünstiger werden. Außerdem sollen die Halbleiter durch die Gallium-Arsenid-Bausteine die zwei- bis dreifache Geschwindigkeit vergleichbarer Silizium-Elemente erreichen.