Bei Galliumarsenid agieren Wirtschaft und Forschung gemeinsamm

Bonn fördert neue Bauelemente-Technik

30.08.1985

BONN (CW) - Glelchziehen in der Galliumarsenid-(GaAs-)Forschung mit den USA und Japan will die Bundesrepublik durch ein industrieorientiertes Vorhaben. Während der fünfjährigen Laufzeit ab 1986 soll ein Anteil am Wafer-Weltmarkt von etwa zehn Prozent erreicht werden. Derzeit führt die internationale Konkurrenz mit einem Vorsprung von rund zwei Jahren.

Im Rahmen des Förderschwerpunktes "Neue Bauelemente-Techniken" ist vom Bundesministerium für Forschung und Technologie in diesem Projekt geplant, Aktivitäten im GaAs-Bereich bundesweit zusammenzufassen und zu koordinieren. Federführend dabei wirkt das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik in Freiburg. Die Bauelemente-Industrie soll so in die Lage versetzt werden, kommerziell integrierte GaAs-Schaltkreise auf internationalem Niveau zu fertigen.

Die Bundesrepublik hält derzeit, zusammen mit Frankreich und Großbritannien, die europäische Spitze in der GaAs-Entwicklung. Die deutsche Technik spielt allerdings noch keine Rolle für GaAs-Substratwafer auf dem internationalen Markt, teilt das Bonner Ministerium mit. So befinde sich der Aufbau von Schaltkreisen, aber auch der Entwurf von Prozessen zur Herstellung dieser Super-Halbleiterscheiben noch im Laborstadiem. Auf der Grundlagenseite habe die deutsche GaAs-Forschung weltweit einen guten Ruf, jedoch beständen Schwächen bei der Umsetzung von Erkenntnissen aus dem Grundlagenbereich in die industrienahe Schaltkreisentwicklung.

Gegenüber der Silizium-Technologie verzeichnet die GaAs-Technik einen Entwicklungsrückstand von etwa zehn Jahren, schätzen Experten aus dem Forschungsministerium. Beide Materialien dienen für elektronische Hochfrequenzschaltungen sowie für Infrarot-Halbleiterlaser, die in der Glasfaserübertragungstechnik und in Verbindung mit der optischen Speicherplatte eingesetzt werden. Fünfmal so schnelle Elektronenbeweglichkeit sowie breitere Anwendungsmöglichkeiten bei Hochgeschwindigkeitsschaltungen zeichnen Galliumarsenid jedoch vor dem "traditionellen" Silizium aus.