MÜNCHEN (pi) - Mit Fördergeldern in Höhe von insgesamt rund 100 Millionen Mark will das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) das Verbundprojekt "Extreme Ultraviolett-Lithografie" (EUVL) unterstützen.

Ziel der Forschungsinitiative sind verbesserte Rechen- und Speicherkapazitäten von Prozessoren und Bauelementen für kommende Computergenerationen. Die Leistungssteigerung der Halbleiter hängt insbesondere von der Erzeugung immer kleinerer Schaltstrukturen ab. Hierbei wiederum spielt die Strahlquelle des eingesetzten Belichtungsverfahrens, mit dessen Hilfe bei der Halbleiterfertigung vorgegebene Strukturen auf den Chip übertragen werden, eine entscheidende Rolle. Eine Strahlquelle im Bereich der EUVL soll die "Next Generation Lithography" (NGL) mit deutlich kleineren Schaltstrukturen ermöglichen. Zur Erschließung dieses EUVL-Bereichs werden neuartige Technologien benötigt - so existieren derzeit beispielsweise noch keine optischen Materialien, die den Anforderungen entsprechen.

Die Förderung durch das BMBF ist auf einen Zeitraum von fünf Jahren ausgelegt. Das grenzüberschreitende Projekt, an dem die Niederlande, Belgien, Frankreich und Deutschland beteiligt sind, soll die Position europäischer Zulieferer in der Halbleiterindustrie stärken.