MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Auf dem VLSI-Symposium (Very Large Scale Integration) in Kyoto hat AMD neue Technologien gezeigt, mit denen sich die Performance von Halbleitern erheblich steigern lassen soll. Die Schwierigkeit liege darin, trotz steigender Leistung immer kleinere Bauteile zu konstruieren, sagte Craig Sander, Vice President der Abteilung für Fertigungstechnik. Demnach werde ab 2007 in einem 45-Nanometer-Prozess produziert, ab 2009 seien Fertigungsprozesse von 32 Nanometern geplant.

Bereits jetzt seien Transistor-Gates nur noch so dick wie fünf bis sechs Atome. Bei einer weiteren Verkleinerung müsse mit erheblichen Leistungsverlusten durch Kriechströme gerechnet werden. In der Folge werden Bauteile extrem heiß und der Energieverbrauch steigt stark an, sagte Sander. Abhilfe schaffe das Ausweichen auf andere Materialien. So hat AMD einen Transistor-Prototypen entwickelt, bei dem das Silizium der Basisschicht der Gates durch eine Nickel-Legierung ersetzt und von den anderen Silizium-Schichten durch Isolatoren getrennt wurden. Dadurch sei es möglich, die Basis etwa so dick wie zehn Atome zu bauen, was einen Leistungsgewinn von 30 Prozent gegenüber herkömmlichen Transistoren zur Folge habe.

Intel hat auf dem VLSI-Symposium ebenfalls neue Halbleitertechnologien vorgestellt. Der Hersteller setzt vor allem auf die Entwicklung eines Transistors mit drei Gates (Computerwoche online berichtete). (lex)