MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Infineon hat seine Kooperation mit dem chinesischen Halbleiterhersteller Semiconductor Manufacturing International Corporated (SMIC) im Bereich DRAM-Speicherchips ausgeweitet. Im Rahmen einer zusätzlichen Vereinbarung wird das in Shanghai ansässige Unternehmen nun exklusiv für den Siemens-Ableger 300-Millimeter-Wafer mit einer Strukturbreite von 110 Nanometer fertigen.

Infineon schätzt, dass die Chipkapazität nach Anlauf der Produktion im Sommer nächsten Jahres um rund 15.000 Siliziumscheiben monatlich ansteigen wird. Die beiden Unternehmen haben bereits im Dezember 2002 einen Vertrag über die Produktion von 200-Millimeter-Wafern auf Basis von Infineons 140-Nanometer-Trench-Technologie unterzeichnet. Zusammen mit der neuen Vereinbarung erhöht der chinesische Auftragsfertiger seinen Output um mehr als das Doppelte. Um den Bedarf decken zu können, baut SMIC derzeit in Peking eine neue Chipfabrik, das Know-how für die 300-Millimeter-Technik liefern die Münchner. (mb)