MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - Der Münchner Halbleiterkonzern Infineon hat mit der taiwanischen Nanya Technology eine (unverbindliche) Absichtserklärung über eine Kooperation bei Standard-Speicherchips (DRAM = Dynamic Random Access Memory) unterzeichnet. Dieser zufolge wollen beide Unternehmen ab Oktober dieses Jahres 9- und 7-Nanometer-Fertigungsprozesse für 300-Millimeter-Wafer gemeinsam entwickeln, um Entwicklungskosten zu sparen. Darüber hinaus ist ein gleich berechtigtes Joint Venture für die Fertigung geplant, das ein entsprechendes 300-Millimeter-Werk im taiwanischen Taoyuen bauen soll. Die ersten Siliziumscheiben sollen dort Ende 2003 vom Band laufen, die erste Ausbaustufe ist für das zweite Halbjahr 2004 vorgesehen und soll dann einen Ausstoß von 20.000 Waferstarts erzielen. Die geplante Transaktion bedürfe noch der Zustimmung der

Kartellbehörden, teilten beide Unternehmen heute in einer gemeinsamen Erklärung mit. (tc)