Mit 19-nm-NAND

Toshiba kündigt neue SSD-Generation an

04.06.2012
Von 
Thomas Cloer war Redakteur der Computerwoche.
Toshiba Electronics Europe (TEE) hat die weltweit ersten Solid-State-Laufwerke (SSDs) in 19-Nanometer-NAND-Technik angekündigt.

Die neue SSD-Familie mit bis zu 512 Gigabyte Kapzität und der wenig eingängigen Bezeichnung "THNSNFxxxGzzS" soll ab August 2012 verfügbar sein; Preise nennt Toshiba noch nicht.

Der Hersteller positioniert die Flash-Laufwerke für den Einsatz in High-End-Notebooks, Tablets, PCs, All-in-One-Desktops sowie Industrie PCs. Toshiba plant unterschiedliche Größen mit verschiedenen Kapazitäten: Die "THNSNFxxxGBSS" in 9,5 Millimeter Bauhöhe wird mit 64, 128, 256 und 512 GB erhältlich sein, die gleichen Kapazitäten bietet die 7 Millimeter hohe "THNSNFxxxGCSS"; für die mSATA-Variante "THNSNFxxxGMCS" ist bei 256 GB Schluss.

Gegenüber der vorhergehenden Laufwerksgeneration soll die THNSNF mit 524 Megabyte pro Sekunde lesend und 461 MB/s schreibend die doppelte Geschwindigkeit erreichen. Sie arbeitet mit dem neben selbst entwickelten ECC-Verfahren (Error Correction Code) "QSBC" (Quadruple Swing-By Code) zum Schutz vor Lesefehlern. Darüber hinaus soll die "Data Corrupt Protection" einen Schutz der Daten bei internen Datentransfers im Falle einer unerwarteten Unterbrechung der Stromversorgung oder bei Schreibfehlern bietet.

Falls die SSD beschädigt wird oder die Schreibmöglichkeiten ausfallen, sollen sich die gespeicherten Daten über den integrierten "Read only Mode" trotzdem noch auslesen lassen. Die THNSNF-Laufwerke unterstützen auch den "TRIM"-Befehl, mit dem das Betriebssystem die SSD über Datenblöcke informieren kann, die nicht mehr genutzt werden und intern gelöscht werden können.

Die THNSNF-SSDs sind frei von Halogenen und Antimon. In punkto Energieffizienz erreichen sie nach Angaben des Herstellers im Benchmark-Test MobileMark 2007 Workload einen Verbrauch von weniger als 0,1 Watt und unterstützt APM (Advanced Power Management).