MÜNCHEN (COMPUTERWOCHE) - NEC und Toshiba haben ein neues Zellendesign für magnetische Speicherchips entwickelt, das deren Leistungsaufnahme während des Schreibvorgangs halbieren und zugleich Schreibfehler reduzieren soll. Die Neuentwicklung ist ein Ergebnis ihres vor zwei Jahren ins Leben gerufenen MRAM-Joint-Ventures (MRAM = Magnetoresistive Random Access Memory). Anders als synchrones oder dynamisches RAM, erhalten die MRAM-Chips ihre Speicherfähigkeit nicht durch elektrische Spannung, sondern via Magnetismus. Auf diese Weise sollen sich Daten auch dann weiter vorhalten lassen, wenn die Stromzufuhr unterbrochen oder abgeschaltet ist.

Die neue Speichertechnik, die bereits als potenzieller DRAM-Nachfolger (DRAM = Dynamic Random Access Memory) gehandelt wird, ist aufgrund ihrer Strom und Platz sparenden Eigenschaften insbesondere für den Einsatz in künftigen Mobilgeräten gedacht. Da MRAM-Chips jedoch auch günstiger herzustellen sind als ihre derzeit eingesetzten Pendants, könnten sie in absehbarer Zeit auch in PCs zu finden sein. Letztere würden sich dann wie ein Fernseher ein- und ausschalten lassen.

Die beiden japanischen Elektronikkonzerne stehen mit ihrem MRAM-Engagement allerdings nicht allein: In Sachen Forschung mit von der Partie sind unter anderen Wettbewerber wie das Motorola-Spinoff Freescale Semiconductor, IBM sowie Infineon und Hewlett-Packard. (kf)