10-Nanometer-Verfahren

Snapdragon 830 kommt angeblich 2016 und unterstützt 8 GB RAM

02.12.2015
Der Snapdragon 820 ist noch gar nicht so richtig auf dem Markt, schon gibt es Gerüchte über einen Nachfolger oder zumindest einen weiteren Chip für das Jahr 2016: den Snapdragon 830. Er soll im 10-Nanometer-Verfahren hergestellt werden und bis zu 8 GB RAM in Smartphones unterstützen.
Der Qualcomm-SoC Snapdragon 830 soll bis zu acht GB RAM ansprechen können.
Der Qualcomm-SoC Snapdragon 830 soll bis zu acht GB RAM ansprechen können.
Foto: Qualcomm

"Nach dem Spiel ist vor dem Spiel" wusste schon Fußball-Trainerlegende Sepp Herberger. Darum ist es auch nicht verwunderlich, dass Qualcomm schon an einem Nachfolger des erst vor wenigen Wochen vorgestellten Snapdragon 820 arbeitet. Noch bevor dieser Chipsatz in einem Smartphone erhältlich ist, sind bereits Gerüchte zu einem Nachfolge-SoC aufgetaucht: dem Snapdragon 830. Der soll bis zu 8 GB RAM im Smartphone ansprechen können, was gleichzeitig zu Gerüchten führt, dass 2016 erste Geräte mit 6 GB oder sogar 8 GB RAM auf den Markt kommen werden.

Außerdem ist die Rede davon, dass der Snapdragon 830 im Gegensatz zum Snapdragon 820 in 10-Nanometer-Verfahren gefertigt wird. Der Snapdragon 820 wird noch in 14 Nanometer gebaut. Der Snapdragon 820 bringt vier leistungsstarke Kyro-CPUs, also von Qualcomm selbst entwickelte Prozessorkerne mit, die von der starken Grafikeinheit Adreno 530 unterstützt werden. Die CPUs sollen im Vergleich zum Snapdragon 810 doppelt so leistungsstark und im Zusammenspiel mit dem Hexagon 680 DSP etwa doppelt so energieeffizient sein. Wegen der gestiegenen Energieeffizienz verzichtet Qualcomm nach eigenen Aussagen auch auf vier weitere, dafür aber schwächere Chips in bigLITTLE-Auslegung. Die Adreno 530 kommt auf eine Leistungssteigerung von etwa 40 Prozent bei weniger Energiehunger von ebenfalls 40 Prozent.

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