Samsung und NEC bauen 256-Mbit-Chip

11.03.1994

TOKIO (vwd) - NEC und Samsung wollen gemeinsam einen 256-Mbit-Chip entwickeln. Der Vertrag zwischen dem japanischen und dem suedkoreanischen Unternehmen soll bis Mitte Maerz unterschriftsreif sein.

Die ersten DRAM-Bausteine (Dynamic Random Access Memory) mit einer Kapazitaet von 256 Mbit sollen etwa 1997 oder 1998 erhaeltlich sein. Er schaetzte die Kosten fuer die Entwicklung auf zehn bis 100 Milliarden Yen (zwischen 150 Millionen und 1,5 Milliarden Mark).

Erhaeltlich sind zur Zeit DRAM-Chips mit einer Kapazitaet von 1, 4 und 16 Mbit. Noch in diesem Jahr rechnen Marktbeobachter mit den ersten Exemplaren der 64-Mbit-Bausteine.