Schneller Speicher für Smartphones

Samsung kündigt Turbo-Flash an

15.11.2012
Samsung hat eine neue Speichervariante für Highend-Smartphones entwickelt, die bis zu 30 Prozent schneller und um 20 Prozent kleiner als bisherige Lösungen ist.
Der Nachfolger des Galaxy SIII könnte bereits mit dem neuen superschnellen Nand-Flash-Chip ausgestattet sein.
Der Nachfolger des Galaxy SIII könnte bereits mit dem neuen superschnellen Nand-Flash-Chip ausgestattet sein.
Foto: Samsung

Samsung Electronics hat heute einen neuen, 64GB eMMC Pro Class 2000 genannten Flash-Speicher für Smartphones, Tablets und andere mobile Geräte angekündigt. Der Chip wird im 10-Nanometer-Verfahren gefertigt und bietet bis zu 64 Gigabyte Speicherkapazität. Dazu hat Samsung nach eigenen Angaben die Performance im Vergleich mit dem im vergangenen Mai vorgestellten Vorgängermodell 64GB eMMC Pro Class 1500 um 30 Prozent erhöht. Mit Maßen von 11,5 x 13 Millimetern ist der Chip um 20 Prozent kleiner als konventionelle eMMCs, so der Hersteller, und sei damit den zunehmenden Platzbeschränkungen in mobilen Endgeräten angepasst.

Der neue Speicherchip mit dem eMMC 4.5 Interface soll seine Stärken beim Zugriff auf hochauflösenden Video, dem Web-Browsen, dem mobilen Gaming und anderen Ressourcen-intensiven Anwendungen ausspielen und für besseres Multitasking auf Smartphones und Tablets sorgen. Der Flash-Baustein bietet eine Schreibgeschwindigkeit von 50 Megabyte pro Sekunde und eine Lesegeschwindigkeit von 260 Megabyte pro Sekunde. Zum Vergleich: Wechselbare Speicherkarten der Klasse 10 schreiben mit 12 Megabyte pro Sekunde und lesen mit 24 Megabyte pro Sekunde.

Samsung hat nach eigenen Angaben im vergangenen Monat die Produktion des 64GB eMMC Pro Class 2000 aufgenommen, im kommenden Jahr soll die neue Highspeed-eMMC vom Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) als offizieller Industriestandard verabschiedet werden.

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