CW AUF DER ELECTRONICA '76

Nonvolatile HalbleiterspeicherAbkürzungen, die Sie in Zukunft brauchen

10.12.1976

In "nonvolatilen" Speichern bleiben die Daten auch nach Abschalten der Betriebsspannung erhalten. Es gibt ROM (Read only memory): Sie werden mit Hilfe einer Maske in der Regel vom Lieferanten programmiert.

Wegen der Herstellungskosten der Maske lohnt sich der Einsatz nur bei relativ großen Stückzahlen. Der einmal im ROM gespeicherte Inhalt kann nicht mehr geändert werden.

PROM (Programmable ROM): Kann vom Anwender mit einem relativ billigen Programmiergerät oder im Service programmiert werden - Stückzahlüberlegungen und die lange Wartezeit auf das erste ROM-Muster entfallen. Der Hersteller kann die Speicherbausteine nur teilweise prüfen; die Programmierausbeute beim Anwender liegt zwischen 70 und 90 Prozent - nach der Programmierung ist eine dynamische Prüfung auf Zugriffszeit erforderlich. Die gespeicherten Daten können nicht mehr geändert werden. Die Speicherkapazität eines PROM-Bausteines ist meist um 50 bis 75 Prozent geringer als die eines ROM gleicher Technologie und Größe.

EPROM (Erasable PROM): Der Speicherinhalt kann mit Bestrahlung durch eine UV-Lampe gelöscht werden, danach ist Neuprogrammierung möglich. Der Hersteller kann die Bausteine 100prozentig prüfen.

EAROM (Electrically alterable ROM": Der Speicherinhalt kann geändert werden, ohne daß der Speicherbaustein entnommen oder das System außer Betrieb gesetzt werden muß. Die Programmierzeit liegt bei 10 bis 100 ms, die Löschzeit unter 10 s. Diese Zeiten können für Programmspeicher ausreichen, für Datenspeicher (nonvolatile RAM) müssen die Zeiten nach erheblich verringert und die Zahl der möglichen Programmier/Lösch-Vorgänge von derzeit einigen hundert auf wesentlich über 10E6 gesteigert werden.

RAM (Random access Memory): Schreib/Lese-Speicher mit wahlfreiem Zugriff. Nonvolatile Elemente sind erst in der Entwicklung.

(Quelle: B. Rössler, Siemens AG, München)